本報(bào)訊近日，國內(nèi)SiC功率器件領(lǐng)先企業(yè)清純半導(dǎo)體推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品——S1M014120H，并通過了車企和tier1廠商的測試。 S1M014120H具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，其靜態(tài)導(dǎo)通特性和動(dòng)態(tài)開關(guān)特性均達(dá)到了國際一流水平，可應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)控制器、大功率充電模塊、光伏逆變器以及大功率儲(chǔ)能等領(lǐng)域。該SiC MOSFET的推出填補(bǔ)了國內(nèi)該領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品空白。

1200V/14mΩ SiC MOSFET晶圓采用S1M014120H的1200V/800A功率模塊。S1M014120H可以在更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍內(nèi)工作，以適應(yīng)不同驅(qū)動(dòng)電路的開發(fā)需求。其最高允許工作結(jié)溫為175℃，進(jìn)一步提升了器件的載流能力，有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，其靜態(tài)參數(shù)達(dá)到國際一流水平。

同時(shí)，清純半導(dǎo)體與國內(nèi)領(lǐng)先的功率模塊供應(yīng)商緊密合作，根據(jù)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的具體需求（1200V/800A），對(duì)采用清純半導(dǎo)體S1M014120H和國際主流廠家同規(guī)格SiC芯片制造的多芯片并聯(lián)功率模塊在常溫及高溫的開關(guān)性能做了詳細(xì)表征。

與采用國際主流芯片制造的模塊測試結(jié)果對(duì)比，采用S1M014120H的模塊呈現(xiàn)波形平滑、高頻振蕩阻尼效應(yīng)突出、開關(guān)能量低的特點(diǎn)，更加適合電機(jī)控制器與充電模塊這類對(duì)效率以及電磁兼容性有更高要求的應(yīng)用。在開關(guān)波形特性以及能量損耗方面，清純半導(dǎo)體推出的S1M014120H已具備國際一流水平的動(dòng)態(tài)性能。

清純半導(dǎo)體憑借雄厚的技術(shù)實(shí)力，不斷實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET產(chǎn)品研發(fā)及市場應(yīng)用的突破，4月量產(chǎn)首款國產(chǎn)15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET，8月即推出國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，目前不同規(guī)格的MOSFET產(chǎn)品已規(guī)模應(yīng)用到光伏、電源和OBC領(lǐng)域。公司不但始終瞄準(zhǔn)國際技術(shù)前沿，更是注重產(chǎn)品質(zhì)量控制，建有完整的質(zhì)量控制體系和可靠性實(shí)驗(yàn)室，1200V量產(chǎn)SiC MOSFET系列產(chǎn)品已通過AEC-Q101測試，新研發(fā)產(chǎn)品可靠性測試均順利進(jìn)行中。

自中國確立“雙碳”目標(biāo)以來，我國新能源產(chǎn)業(yè)步入跨越式發(fā)展階段，這為以碳化硅為代表的我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)提供了寶貴的歷史機(jī)遇。中國擁有全球最大的電動(dòng)車市場，由于碳化硅功率器件可明顯提升新能源汽車的功率密度、能效和續(xù)航里程，預(yù)計(jì)2～3年后SiC MOSFET將廣泛應(yīng)用于新能源車主驅(qū)。性能與可靠性比肩國際主流產(chǎn)品，且能夠適用于電動(dòng)車主驅(qū)低導(dǎo)通電阻的國產(chǎn)SiC MOSFET芯片將成為行業(yè)的迫切需求，市場潛力巨大。清純半導(dǎo)體已從技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品量產(chǎn)、質(zhì)量管控、產(chǎn)能供應(yīng)等方面做好全方位準(zhǔn)備，致力推動(dòng)SiC MOSFET國產(chǎn)化進(jìn)程，支撐我國新能源汽車快速發(fā)展，助力實(shí)現(xiàn)國家“雙碳”戰(zhàn)略的宏偉目標(biāo)。 （清文）

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